Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

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SIR410DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR410DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 35 A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 41 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 4,2W (Ta), 36W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIR410
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,8mohms à 20A, 10V

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (6)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC046N02KSGAUMA1	Infineon Technologies	4’710	BSC046N02KSGAUMA1CT-ND	Fr. 1.88000	Similaire
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2’225	RS1E150GNTBCT-ND	Fr. 0.81000	Similaire
RS1E220ATTB1	Rohm Semiconductor	412	RS1E220ATTB1CT-ND	Fr. 3.14000	Similaire
RS1E240BNTB	Rohm Semiconductor	7’373	RS1E240BNTBCT-ND	Fr. 1.02000	Similaire
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2’446	RS3E095BNGZETBCT-ND	Fr. 1.26000	Similaire

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