
SIR414DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIR414DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR414DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR414DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR414DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 50 A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIR414DP-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4750 pF @ 20 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5,4W (Ta), 83W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 20A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.96000 | Fr. 1.96 |
| 10 | Fr. 1.25900 | Fr. 12.59 |
| 100 | Fr. 0.85780 | Fr. 85.78 |
| 500 | Fr. 0.68618 | Fr. 343.09 |
| 1’000 | Fr. 0.63103 | Fr. 631.03 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.56103 | Fr. 1’683.09 |
| 6’000 | Fr. 0.52582 | Fr. 3’154.92 |
| 9’000 | Fr. 0.51122 | Fr. 4’600.98 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.96000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.11876 |










