Name: SIR664DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR664DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1891 CHF
Availability: InStock

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SIR664DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR664DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR664DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR664DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR664DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 60 A (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIR664DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1750 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIR664