Name: SIR680LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR680LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

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SIR680LDP-T1-RE3
cms-digikey-product-number	742-SIR680LDP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR680LDP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR680LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIR680LDP-T1-RE3
cms-description	MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
cms-standard-lead-time	29 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 80 V 31,8A (Ta), 130A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
cms-eda-cad-models	SIR680LDP-T1-RE3 Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31,8A (Ta), 130A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7250 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIR680

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.45000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.64845

SIR680LDP-T1-RE3