SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

SIR788DP-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 2.82000

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SIR788DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR788DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR788DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	SkyFET®, TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2873 pF @ 15 V
Fonction FET	Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIR788