Name: SIR872DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR872DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.19976 CHF
Availability: InStock

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SIR872DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR872DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR872DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR872DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR872DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 53,7 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2130 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53,7 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SIR872
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 9’465

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3’000	Fr. 0.91943	Fr. 2’758.29
6’000	Fr. 0.89916	Fr. 5’394.96

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.96000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 3.19976

SIR872DP-T1-GE3