SIR401DP-T1-GE3
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SIRA10DP-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIRA10DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SIRA10DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIRA10DP-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIRA10DP-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,7mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2425 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIRA10
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En stock: 4’151
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 0.76000Fr. 0.76
10Fr. 0.58600Fr. 5.86
100Fr. 0.46670Fr. 46.67
500Fr. 0.41572Fr. 207.86
1’000Fr. 0.37920Fr. 379.20
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.33285Fr. 998.55
6’000Fr. 0.31360Fr. 1’881.60
9’000Fr. 0.30106Fr. 2’709.54
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.76000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.82156