Name: SIRS580DPW-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS580DPW-T1-RE3TR-ND
Price: 2.9187 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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SIRS580DPW-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIRS580DPW-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIRS580DPW-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIRS580DPW-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIRS580DPW-T1-RE3
Description	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 38A (Ta), 190A (Tc) 6,9W (Ta), 171W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 20A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 77 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5045 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 6,9W (Ta), 171W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38A (Ta), 190A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 5’900

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3’000	Fr. 0.82102	Fr. 2’463.06
6’000	Fr. 0.79069	Fr. 4’744.14

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.70000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.91870

SIRS580DPW-T1-RE3