
SIS412DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS412DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS412DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24mohms à 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 435 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 0.53000 | Fr. 0.53 |
10 | Fr. 0.32400 | Fr. 3.24 |
100 | Fr. 0.25700 | Fr. 25.70 |
500 | Fr. 0.23796 | Fr. 118.98 |
1’000 | Fr. 0.21493 | Fr. 214.93 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.17218 | Fr. 516.54 |
6’000 | Fr. 0.16646 | Fr. 998.76 |
9’000 | Fr. 0.15259 | Fr. 1’373.31 |
15’000 | Fr. 0.15003 | Fr. 2’250.45 |
21’000 | Fr. 0.15000 | Fr. 3’150.00 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.53000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.57293 |