
SIS412DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS412DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS412DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 435 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 7,8A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.79000 | Fr. 0.79 |
| 10 | Fr. 0.49500 | Fr. 4.95 |
| 100 | Fr. 0.32240 | Fr. 32.24 |
| 500 | Fr. 0.24792 | Fr. 123.96 |
| 1’000 | Fr. 0.22394 | Fr. 223.94 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.19346 | Fr. 580.38 |
| 6’000 | Fr. 0.17812 | Fr. 1’068.72 |
| 9’000 | Fr. 0.17030 | Fr. 1’532.70 |
| 15’000 | Fr. 0.16151 | Fr. 2’422.65 |
| 21’000 | Fr. 0.15631 | Fr. 3’282.51 |
| 30’000 | Fr. 0.15126 | Fr. 4’537.80 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.79000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.85399 |









