SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

SIS612EDNT-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

Vishay Siliconix

En stock: 5’449

Prix unitaire : Fr. 0.53000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIS612EDNT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS612EDNT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS612EDNT-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,9mohms à 14A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2060 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Boîtier	PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base	SIS612