
SIS903DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS903DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS903DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2565pF à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux P (double) | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 20,1mohms à 5A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.42000 | Fr. 1.42 |
| 10 | Fr. 0.89700 | Fr. 8.97 |
| 100 | Fr. 0.60120 | Fr. 60.12 |
| 500 | Fr. 0.47392 | Fr. 236.96 |
| 1’000 | Fr. 0.43301 | Fr. 433.01 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.38105 | Fr. 1’143.15 |
| 6’000 | Fr. 0.35490 | Fr. 2’129.40 |
| 9’000 | Fr. 0.34158 | Fr. 3’074.22 |
| 15’000 | Fr. 0.32662 | Fr. 4’899.30 |
| 21’000 | Fr. 0.32621 | Fr. 6’850.41 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.42000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.53502 |











