Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.24863 CHF
Availability: InStock

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SIS932EDN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS932EDN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIS932EDN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000pF à 15V
Puissance - Max.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® 1212-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® 1212-8 double
Numéro de produit de base	SIS932

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Quantité

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