
SIS932EDN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS932EDN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS932EDN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,4V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14nC à 4,5V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 10A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.76000 | Fr. 0.76 |
| 10 | Fr. 0.47500 | Fr. 4.75 |
| 100 | Fr. 0.30870 | Fr. 30.87 |
| 500 | Fr. 0.23708 | Fr. 118.54 |
| 1’000 | Fr. 0.21398 | Fr. 213.98 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18463 | Fr. 553.89 |
| 6’000 | Fr. 0.16984 | Fr. 1’019.04 |
| 9’000 | Fr. 0.16231 | Fr. 1’460.79 |
| 15’000 | Fr. 0.15385 | Fr. 2’307.75 |
| 21’000 | Fr. 0.14884 | Fr. 3’125.64 |
| 30’000 | Fr. 0.14397 | Fr. 4’319.10 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.76000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.82156 |





