
SISF20DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISF20DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SCD double |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 14 A (Ta), 52 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 13mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 33nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1290pF à 30V | |
Puissance - Max. | 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8SCD double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8SCD double | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 1.86000 | Fr. 1.86 |
10 | Fr. 1.19000 | Fr. 11.90 |
100 | Fr. 0.81010 | Fr. 81.01 |
500 | Fr. 0.68332 | Fr. 341.66 |
1’000 | Fr. 0.68300 | Fr. 683.00 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.61289 | Fr. 1’838.67 |
6’000 | Fr. 0.51450 | Fr. 3’087.00 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.86000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.01066 |