
SISH536DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISH536DN-T1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 3,25mohms à 10A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Vgs (max.) +16V, -12V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1150 pF @ 15 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.86000 | Fr. 0.86 |
| 10 | Fr. 0.53500 | Fr. 5.35 |
| 100 | Fr. 0.34950 | Fr. 34.95 |
| 500 | Fr. 0.26968 | Fr. 134.84 |
| 1’000 | Fr. 0.24395 | Fr. 243.95 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.21126 | Fr. 633.78 |
| 6’000 | Fr. 0.19480 | Fr. 1’168.80 |
| 9’000 | Fr. 0.18642 | Fr. 1’677.78 |
| 15’000 | Fr. 0.17700 | Fr. 2’655.00 |
| 21’000 | Fr. 0.17142 | Fr. 3’599.82 |
| 30’000 | Fr. 0.16600 | Fr. 4’980.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.86000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.92966 |






