Name: SISHA06DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISHA06DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: OutOfStock

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SISHA06DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISHA06DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISHA06DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISHA06DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISHA06DN-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 28,1A (Ta), 104A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 10A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 67 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +20V, -16V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3932 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28,1A (Ta), 104A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® 1212-8SH

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.29000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.39449

SISHA06DN-T1-GE3