
SISS23DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS23DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS23DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8840 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohm à 20A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.25000 | Fr. 1.25 |
| 10 | Fr. 0.78900 | Fr. 7.89 |
| 100 | Fr. 0.52510 | Fr. 52.51 |
| 500 | Fr. 0.41174 | Fr. 205.87 |
| 1’000 | Fr. 0.37525 | Fr. 375.25 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32892 | Fr. 986.76 |
| 6’000 | Fr. 0.30559 | Fr. 1’833.54 |
| 9’000 | Fr. 0.29372 | Fr. 2’643.48 |
| 15’000 | Fr. 0.28037 | Fr. 4’205.55 |
| 21’000 | Fr. 0.27450 | Fr. 5’764.50 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.25000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.35125 |











