Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.88642 CHF
Availability: InStock

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SISS23DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS23DN-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISS23DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,5mohm à 20A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8840 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Boîtier	PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base	SISS23