Name: SISS46DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS46DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: InStock

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SISS46DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISS46DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS46DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISS46DN-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 12,5 A (Ta), 45,3 A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,7W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,5 A (Ta), 45,3 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® 1212-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SISS46
Rds On (max.) à Id, Vgs 12,8mohms à 10A, 10V

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.89000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.04309

SISS46DN-T1-GE3