
SISS63DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS63DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS63DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 236 nC @ 8 V |
Série | Vgs (max.) ±12V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7080 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 15A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.36000 | Fr. 1.36 |
| 10 | Fr. 0.86500 | Fr. 8.65 |
| 100 | Fr. 0.57850 | Fr. 57.85 |
| 500 | Fr. 0.45536 | Fr. 227.68 |
| 1’000 | Fr. 0.41574 | Fr. 415.74 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.36544 | Fr. 1’096.32 |
| 6’000 | Fr. 0.34013 | Fr. 2’040.78 |
| 9’000 | Fr. 0.32724 | Fr. 2’945.16 |
| 15’000 | Fr. 0.31276 | Fr. 4’691.40 |
| 21’000 | Fr. 0.31063 | Fr. 6’523.23 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.36000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.47016 |










