
SIZ260DT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIZ260DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZ260DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZ260DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ260DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8POWERPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ260DT-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 80V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24,5mohms à 10A, 10V, 24,7mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 27nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 820pF à 40V | |
Puissance - Max. | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerWDFN | |
Boîtier fournisseur | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 1.40000 | Fr. 1.40 |
10 | Fr. 0.88600 | Fr. 8.86 |
100 | Fr. 0.59450 | Fr. 59.45 |
500 | Fr. 0.46926 | Fr. 234.63 |
1’000 | Fr. 0.42897 | Fr. 428.97 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.37782 | Fr. 1’133.46 |
6’000 | Fr. 0.35209 | Fr. 2’112.54 |
9’000 | Fr. 0.34800 | Fr. 3’132.00 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.40000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.51340 |