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SIZ342BDT-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIZ342BDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIZ342BDT-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 15,4A (Ta), 32,9A (Tc) 3,7W (Ta), 16,7W (Tc) Montage en surface 8-Power33 (3x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N, source commune (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
15,4A (Ta), 32,9A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,65mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12,6nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
550pF à 15V
Puissance - Max.
3,7W (Ta), 16,7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerWDFN
Boîtier fournisseur
8-Power33 (3x3)
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
6’000Fr. 0.22051Fr. 1’323.06
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.22051
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.23837