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Vishay Siliconix
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Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique
SIJ482DP-T1-GE3
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SIZ904DT-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIZ904DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIZ904DT-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 12A, 16A 20W, 33W Montage en surface 6-PowerPair™
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12A, 16A
Rds On (max.) à Id, Vgs
24mohms à 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
435pF à 15V
Puissance - Max.
20W, 33W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
6-PowerPair™
Boîtier fournisseur
6-PowerPair™
Numéro de produit de base
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.36851Fr. 1’105.53
6’000Fr. 0.34327Fr. 2’059.62
9’000Fr. 0.33800Fr. 3’042.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.36851
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.39836