
SIZ918DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIZ918DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ918DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ918DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ918DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 16 A, 28 A 29W, 100W Montage en surface 8-PowerPair® (6x5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ918DT-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 16 A, 28 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 12mohms à 13,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 21nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 790pF à 15V | |
Puissance - Max. | 29W, 100W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerWDFN | |
Boîtier fournisseur | 8-PowerPair® (6x5) | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.96000 | Fr. 1.96 |
| 10 | Fr. 1.26000 | Fr. 12.60 |
| 100 | Fr. 0.86070 | Fr. 86.07 |
| 500 | Fr. 0.68980 | Fr. 344.90 |
| 1’000 | Fr. 0.67944 | Fr. 679.44 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.55510 | Fr. 1’665.30 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.96000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.11876 |

