Name: SIZF360DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.85932 CHF
Availability: OutOfStock

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SIZF360DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF360DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF360DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZF360DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface 6-PowerPair™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZF360DT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double), schottky
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,5mohms à 10A, 10V, 1,9mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22nC à 10V, 62nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100pF à 15V, 3150pF à 15V
Puissance - Max.	3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-PowerPair™
Boîtier fournisseur	6-PowerPair™
Numéro de produit de base	SIZF360