Name: SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.65941 CHF
Availability: InStock

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SQ1922AEEH-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ1922AEEH-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ1922AEEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ1922AEEH-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 850mA (Tc) 1,5W (Tc) Montage en surface SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,2nC à 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60pF à 10V
Série TrenchFET®	Puissance - Max. 1,5W (Tc)
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 850mA (Tc)	Boîtier fournisseur SC-70-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 300mohms à 400mA, 4,5V	Numéro de produit de base SQ1922
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Documents et supports

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