
SQ4920EY-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQ4920EY-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8A 4,4W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 14,5mohms à 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 30nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1465pF à 15V | |
Puissance - Max. | 4,4W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.65000 | Fr. 1.65 |
| 10 | Fr. 1.14200 | Fr. 11.42 |
| 100 | Fr. 0.83520 | Fr. 83.52 |
| 500 | Fr. 0.66856 | Fr. 334.28 |
| 1’000 | Fr. 0.65435 | Fr. 654.35 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.55702 | Fr. 1’392.55 |
| 5’000 | Fr. 0.54566 | Fr. 2’728.30 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.65000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.78365 |

