Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 1.97823 CHF
Availability: InStock

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SQ4949EY-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ4949EY-T1_GE3
Description	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 7,5 A (Tc) 3,3W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,5 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1020pF à 25V
Puissance - Max.	3,3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SQ4949