SQD100N04-3M6L_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Recommandation fabricant


Vishay Siliconix
En stock: 7’344
Prix unitaire : Fr. 1.75000
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.86000
Fiche technique
TO-252
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SQD100N04-3M6L_GE3

Numéro de produit DigiKey
SQD100N04-3M6L_GE3TR-ND - Bande et bobine
SQD100N04-3M6L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SQD100N04-3M6L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SQD100N04-3M6L_GE3
Description
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 100 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,6mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6700 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
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