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SIHD5N80AE-GE3
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SQD40N06-25L-GE3

Numéro de produit DigiKey
SQD40N06-25L-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SQD40N06-25L-GE3
Description
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 30 A (Tc) Montage en surface TO-252AA
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
SQD40
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