Name: SQJ181ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ181ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.30801 CHF
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQJ181ELP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJ181ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ181ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ181ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ181ELP-T1_GE3
Description	P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	5 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 128 A (Tc) 468W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	128 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13,8mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5649 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	468W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock

Vérifier le délai d'approvisionnement

Demande de notification de stock

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®