
SQJ264EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ264EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ264EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 20 A (Tc), 54 A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 double asymétrique |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 à canal N (double), asymétriques | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 20 A (Tc), 54 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 20mohms à 6A, 10V, 8,6mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 16nC à 10V, 32nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1000pF à 25V, 2100pF à 25V | |
Puissance - Max. | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 double asymétrique | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 1.65000 | Fr. 1.65 |
10 | Fr. 1.15000 | Fr. 11.50 |
100 | Fr. 0.81560 | Fr. 81.56 |
500 | Fr. 0.65222 | Fr. 326.11 |
1’000 | Fr. 0.63514 | Fr. 635.14 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.53303 | Fr. 1’599.09 |
6’000 | Fr. 0.51890 | Fr. 3’113.40 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.65000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.78365 |