
SQJ570EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ570EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ570EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ570EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ570EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) 27W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ570EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V, 15nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 650pF à 25V, 600pF à 25V |
Série | Puissance - Max. 27W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Tc), 9,5 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 45mohms à 6A, 10V, 146mohms à 6A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
| 10 | Fr. 0.92500 | Fr. 9.25 |
| 100 | Fr. 0.62010 | Fr. 62.01 |
| 500 | Fr. 0.48950 | Fr. 244.75 |
| 1’000 | Fr. 0.44749 | Fr. 447.49 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.39414 | Fr. 1’182.42 |
| 6’000 | Fr. 0.36730 | Fr. 2’203.80 |
| 9’000 | Fr. 0.35363 | Fr. 3’182.67 |
| 15’000 | Fr. 0.33935 | Fr. 5’090.25 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.46000 |
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| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.57826 |




