
SQJ912DEP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ912DEP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ912DEP-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 30 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 7,3mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 36nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | - | |
Puissance - Max. | 27W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.26000 | Fr. 1.26 |
| 10 | Fr. 0.80000 | Fr. 8.00 |
| 100 | Fr. 0.53340 | Fr. 53.34 |
| 500 | Fr. 0.41920 | Fr. 209.60 |
| 1’000 | Fr. 0.38245 | Fr. 382.45 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33578 | Fr. 1’007.34 |
| 6’000 | Fr. 0.31230 | Fr. 1’873.80 |
| 9’000 | Fr. 0.30310 | Fr. 2’727.90 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.26000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.36206 |






