
SQJ914EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ914EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ914EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ914EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ914EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 30 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ914EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1110pF à 15V |
Série | Puissance - Max. 27W (Tc) |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 4,5A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.54000 | Fr. 1.54 |
| 10 | Fr. 0.98000 | Fr. 9.80 |
| 100 | Fr. 0.65910 | Fr. 65.91 |
| 500 | Fr. 0.52162 | Fr. 260.81 |
| 1’000 | Fr. 0.47739 | Fr. 477.39 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.42123 | Fr. 1’263.69 |
| 6’000 | Fr. 0.39297 | Fr. 2’357.82 |
| 9’000 | Fr. 0.37858 | Fr. 3’407.22 |
| 15’000 | Fr. 0.36671 | Fr. 5’500.65 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.54000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.66474 |

