
SQJ956EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJ956EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ956EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ956EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJ956EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 23 A (Tc) 34W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJ956EP-T1_GE3 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1395pF à 30V |
Série | Puissance - Max. 34W |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Qualification AEC-Q101 |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc) | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Rds On (max.) à Id, Vgs 26,7mohms à 5,2A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.37000 | Fr. 1.37 |
| 10 | Fr. 0.86600 | Fr. 8.66 |
| 100 | Fr. 0.57900 | Fr. 57.90 |
| 500 | Fr. 0.45582 | Fr. 227.91 |
| 1’000 | Fr. 0.41618 | Fr. 416.18 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.36584 | Fr. 1’097.52 |
| 6’000 | Fr. 0.34050 | Fr. 2’043.00 |
| 9’000 | Fr. 0.32760 | Fr. 2’948.40 |
| 15’000 | Fr. 0.31311 | Fr. 4’696.65 |
| 21’000 | Fr. 0.31102 | Fr. 6’531.42 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.37000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.48097 |



