MOSFET - Matrices 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
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SQJ968EP-T1_GE3

Numéro de produit DigiKey
SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine
SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SQJ968EP-T1_GE3
Description
MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 23,5 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SQJ968EP-T1_GE3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18,5nC à 10V
Fabricant
Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
714pF à 30V
Série
Puissance - Max.
42W (Tc)
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TA)
Statut du composant
Actif
Grade
Automobile
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Qualification
AEC-Q101
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
60V
Boîtier
powerPAK® SO-8 double
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
23,5 A (Tc)
Boîtier fournisseur
powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs
33,6mohms à 4,8A, 10V
Numéro de produit de base
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 3’425
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.36000Fr. 1.36
10Fr. 0.86100Fr. 8.61
100Fr. 0.57540Fr. 57.54
500Fr. 0.45280Fr. 226.40
1’000Fr. 0.41336Fr. 413.36
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.36329Fr. 1’089.87
6’000Fr. 0.33810Fr. 2’028.60
9’000Fr. 0.32526Fr. 2’927.34
15’000Fr. 0.31085Fr. 4’662.75
21’000Fr. 0.30848Fr. 6’478.08
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.36000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.47016