Name: SQJB02ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SQJB02ELP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJB02ELP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJB02ELP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJB02ELP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 27W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700pF à 20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Puissance - Max. 27W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5mohms à 6 A, 10V	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA	Numéro de produit de base SQJB02

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine

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Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.36000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.47016

SQJB02ELP-T1_GE3