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SQM120P04-04L_GE3
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SQM120N10-09_GE3

Numéro de produit DigiKey
SQM120N10-09_GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SQM120N10-09_GE3
Description
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,5mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8645 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SQM120
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
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1’600Fr. 1.12200Fr. 1’795.20
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.18613
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.28221