Name: SQM50061EL_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQM50061EL_GE3TR-ND
Price: 3.27543 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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SQM50061EL_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQM50061EL_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQM50061EL_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQM50061EL_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQM50061EL_GE3
Description	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 120 A (Tc) 230W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9800 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 230W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,3mohms à 30A, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB