SQP90142E_GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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Prix unitaire : Fr. 3.78000

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SQP90142E_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQP90142E_GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQP90142E_GE3
Description	MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 78,5 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQP90142E_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	78,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	15,3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	SQP90142