Name: SUD08P06-155L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD08P06-155L-GE3TR-ND
Price: 1.38368 CHF
Availability: InStock

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SUD08P06-155L-GE3
Numéro de produit DigiKey	SUD08P06-155L-GE3TR-ND - Bande et bobine SUD08P06-155L-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SUD08P06-155L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD08P06-155L-GE3
Description	MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	11 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 8,4 A (Tc) 1,7W (Ta), 20,8W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUD08P06-155L-GE3 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 450 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,7W (Ta), 20,8W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,4 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SUD08
Rds On (max.) à Id, Vgs 155mohms à 5A, 10V