Name: SUD19N20-90-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD19N20-90-E3TR-ND
Price: 3.37272 CHF
Availability: InStock

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SUD19N20-90-E3
Numéro de produit DigiKey	SUD19N20-90-E3TR-ND - Bande et bobine SUD19N20-90-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SUD19N20-90-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD19N20-90-E3
Description	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 19 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUD19N20-90-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 51 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base SUD19
Rds On (max.) à Id, Vgs 90mohms à 5A, 10V