SUD35N10-26P-T4GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 9
Prix unitaire : Fr. 2.27000
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 1’017
Prix unitaire : Fr. 2.42000
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En stock: 0
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En stock: 60
Prix unitaire : Fr. 3.47000
Fiche technique
Canal N 100 V 35 A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface TO-252AA
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SUD35N10-26P-T4GE3

Numéro de produit DigiKey
SUD35N10-26P-T4GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SUD35N10-26P-T4GE3
Description
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 35 A (Tc) 8,3W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
47 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2000 pF @ 12 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
8,3W (Ta), 83W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
7V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
26mohms à 12A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SUD35N10-26P-E3Vishay Siliconix9SUD35N10-26P-E3CT-NDFr. 2.27000Équivalent paramétrique
SUD35N10-26P-GE3Vishay Siliconix1’017SUD35N10-26P-GE3CT-NDFr. 2.42000Équivalent paramétrique
AOD464Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1567-2-NDFr. 0.32151Similaire
AUIRFR540ZTRLInfineon Technologies60448-AUIRFR540ZTRLCT-NDFr. 3.47000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.