Name: SUD90330E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD90330E-GE3TR-ND
Price: 1.91337 CHF
Availability: InStock

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SUD90330E-GE3
Numéro de produit DigiKey	SUD90330E-GE3TR-ND - Bande et bobine SUD90330E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SUD90330E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD90330E-GE3
Description	MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 35,8 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V
Série ThunderFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1172 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35,8 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SUD90330
Rds On (max.) à Id, Vgs 37,5mohms à 12,2A, 10V

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