Name: SUM60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60030E-GE3TR-ND
Price: 4.58344 CHF
Availability: InStock

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SUM60030E-GE3
Numéro de produit DigiKey	SUM60030E-GE3TR-ND - Bande et bobine SUM60030E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SUM60030E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUM60030E-GE3
Description	MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 141 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7910 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SUM60030
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,2mohms à 30A, 10V

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Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB86135	onsemi	2’095	FDB86135CT-ND	Fr. 6.26000	Similaire

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Prix unitaire avec TVA:	Fr. 4.58344

SUM60030E-GE3