
C3M0120065J | |
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Numéro de produit DigiKey | 1697-C3M0120065J-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C3M0120065J |
Description | 650V 120M SIC MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 21 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | C3M0120065J Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 157mohms à 6,76A, 15V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,6V à 1,86mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 26 nC @ 15 V | |
Vgs (max.) | +19V, -8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 640 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 86W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-263-7 | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 7.55000 | Fr. 7.55 |
10 | Fr. 5.86800 | Fr. 58.68 |
50 | Fr. 5.19500 | Fr. 259.75 |
100 | Fr. 4.98650 | Fr. 498.65 |
250 | Fr. 4.76636 | Fr. 1’191.59 |
500 | Fr. 4.63372 | Fr. 2’316.86 |
1’000 | Fr. 4.52453 | Fr. 4’524.53 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 7.55000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 8.16155 |