XP10P500N YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

XP10P500N
Numéro de produit DigiKey	5048-XP10P500NTR-ND - Bande et bobine 5048-XP10P500NCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP10P500NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP10P500N
Description	MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 1,2 A (Ta) 1,38W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP10P500
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	500mohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	670 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,38W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3