XP2306GN YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

XP2306GN est obsolète et n'est plus fabriqué.

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YAGEO XSEMI

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XP2306GN
Numéro de produit DigiKey	5048-XP2306GNTR-ND - Bande et bobine 5048-XP2306GNCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP2306GNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP2306GN
Description	MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 5,3 A (Ta) 1,38W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP2306
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,25V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	603 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,38W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3