XP2530AGY YAGEO XSEMI | Produits semi-conducteurs discrets

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XP2530AGY
Numéro de produit DigiKey	5048-XP2530AGYTR-ND - Bande et bobine 5048-XP2530AGYCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP2530AGY
Description	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) Montage en surface SOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	72mohms à 3A, 10V, 150mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	320pF à 15V, 260pF à 15V
Puissance - Max.	1,136W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6
Boîtier fournisseur	SOT-26