
XP3C011M | |
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Numéro de produit DigiKey | 5048-XP3C011MTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | XP3C011M |
Description | MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SO |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | YAGEO XSEMI | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 10,8A (Ta), 7,8A (Ta) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 10mohms à 9A, 10V, 22mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 16nC à 4,5V, 20,8nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1440pF à 25V, 2080pF à 25V | |
Puissance - Max. | 2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SO |

