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Reengineering Silicon Power Devices: How to improve both conduction and switching losses
This deep-dive explains how to reduce both conduction and switching losses without traditional tradeoffs. Learn key concepts like RDS(on), QSW, and EOSS, and see real boost converter test results demonstrating improved efficiency, performance, and reliability versus conventional silicon and GaN solutions.
Part List
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IS20M5R5S1T | MOSFET N-CH 200V 151A TOLL | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 200 V | 100 - Immédiatement | $7.56 | Afficher les détails |
|  | IS20M6R3S1P | MOSFET N-CH 200V 172A TO-220 | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 200 V | 977 - Immédiatement | $5.79 | Afficher les détails |
|  | IS20M028S1C | MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8 | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 200 V | 3106 - Immédiatement | $2.85 | Afficher les détails |
| | IS20M028S1P | MOSFET N-CH 200V 41A TO-220 | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 200 V | 991 - Immédiatement | $3.27 | Afficher les détails |
| | IS15M7R1S1C | MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8 | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 150 V | 0 | $4.57 | Afficher les détails |
Suisse